자료유형  

 기사

ISSN  

22344772

청구기호  

621.382 해63한 v.16-11

서명/저자  

이중게이트 MOSFET의 전도중심에 따른 문덕전압의 변화 / 정학기 저

발행사항  

부산 : 한국정보통신학회, 2012.

형태사항  

pp. 2511-2516

키워드  

DGMOSFET

키워드  

문턱전압

키워드  

가우시안 분호

키워드  

단채널효과

키워드  

포아송방정식

키워드  

전도중심

키워드  

채널크기

기타저자  

정학기

기본자료저록  

한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea institute of information & communication engineering : Vol16 No11 2012, 11

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Control Number  

joongbu:396607