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플라즈마분자선에피탁시법을 이용한 C-면 사파이어 기판 위 질화인듐갈륨박막의 에피탁시 성장
플라즈마분자선에피탁시법을 이용한 C-면 사파이어 기판 위 질화인듐갈륨박막의 에피탁시 성장 /...
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플라즈마분자선에피탁시법을 이용한 C-면 사파이어 기판 위 질화인듐갈륨박막의 에피탁시 성장
자료유형  
 기사
ISSN  
12250562
청구기호  
620.1 한16ㅎ v.22-4
서명/저자  
플라즈마분자선에피탁시법을 이용한 C-면 사파이어 기판 위 질화인듐갈륨박막의 에피탁시 성장 / 신은정 ; 임동석 ; 임세환 ; 한석규 ; 이효성 ; 홍순구 ; 정명호 ; 이정용 ; Takafumi Yao 공저
발행사항  
서울 : 한국재료학회, 2012.
형태사항  
pp. p185-189
키워드  
플라즈마분자선에피탁시법
키워드  
C-면 사파이어 기판
키워드  
질화인듐갈륨박막
키워드  
에피탁시 성장
기타저자  
신은정
기타저자  
임동석
기타저자  
임세환
기타저자  
한석규
기타저자  
이효성
기타저자  
홍순구
기타저자  
정명호
기타저자  
이정용
기타저자  
Takafumi Yao
기본자료저록  
한국재료학회지 = Korean journal of materials research : 제22권 제4호 2012, 04
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
joongbu:395009
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