서브메뉴
검색
에미터 형성공정에 따른 실리콘 고주파 트랜지스터의 전기적특성
에미터 형성공정에 따른 실리콘 고주파 트랜지스터의 전기적특성
상세정보
- 자료유형
- 기사
- 청구기호
- 041 동62ㅈ v.2-1
- 서명/저자
- 에미터 형성공정에 따른 실리콘 고주파 트랜지스터의 전기적특성 / 김정언 ; 홍창희
- 발행사항
- 부산 : 동아대학교 공과대학 정보통신연구소, 1994.
- 형태사항
- pp. 65-71
- 기타저자
- 김정언
- 기타저자
- 홍창희
- 기본자료저록
- 정보통신연구소논문지 : 제2권 제1호
- Control Number
- joongbu:78660
MARC
008010111s1994 bnkaFBa kor■090 ▼a041▼b동62ㅈ▼cv.2-1
■245 ▼a에미터 형성공정에 따른 실리콘 고주파 트랜지스터의 전기적특성▼d김정언▼e홍창희
■260 ▼a부산▼b동아대학교 공과대학 정보통신연구소▼c1994.
■300 ▼app. 65-71
■653 ▼a에미터▼a실리콘▼a고주파▼a트랜지스터
■700 ▼a김정언
■700 ▼a홍창희
■773 ▼t정보통신연구소논문지▼g제2권 제1호
미리보기
내보내기
chatGPT토론
Ai 추천 관련 도서
ค้นหาข้อมูลรายละเอียด
- จองห้องพัก
- 캠퍼스간 도서대출
- 서가에 없는 책 신고
- โฟลเดอร์ของฉัน
