자료유형  

 기사

청구기호  

041 경18 v.40-2

서명/저자  

MOCVD법에 의해 성장된 Tio₂/p-Si 구조의 전기적 특성 / 손맹호 ; 임종수

발행사항  

수원 : 京畿大學校, 1997.

형태사항  

pp. 15-21

주기사항  

개교 50주년 기념논문집

키워드  

MOCVD법 성장된 Tio₂ p Si 구조 전기적 특성

기타저자  

손맹호

기타저자  

임종수

기본자료저록  

論文集(自然科學篇) : 第40輯 第2號

Control Number  

joongbu:43855