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비선형도핑분포를 이용한 DGMOSFET의 산화막두께에 대한 문턱전압이하 특성분석
비선형도핑분포를 이용한 DGMOSFET의 산화막두께에 대한 문턱전압이하 특성분석  / 정학기  저
비선형도핑분포를 이용한 DGMOSFET의 산화막두께에 대한 문턱전압이하 특성분석

상세정보

자료유형  
 기사
ISSN  
22344772
청구기호  
621.382 해63한 v.15-7
서명/저자  
비선형도핑분포를 이용한 DGMOSFET의 산화막두께에 대한 문턱전압이하 특성분석 / 정학기 저
발행사항  
부산 : 한국정보통신학회, 2011.
형태사항  
pp. 1537-1542
키워드  
포아송 방정식 비선형도핑분포 포텐셜분포 문턱전압이하
기타저자  
정학기
기본자료저록  
한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea institute of information & communication engineering : Vol15 No7 2011, 07
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
joongbu:406342

MARC

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