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비선형도핑분포를 이용한 DGMOSFET의 산화막두께에 대한 문턱전압이하 특성분석
비선형도핑분포를 이용한 DGMOSFET의 산화막두께에 대한 문턱전압이하 특성분석
상세정보
MARC
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■245 ▼a비선형도핑분포를 이용한 DGMOSFET의 산화막두께에 대한 문턱전압이하 특성분석 ▼d정학기 저
■260 ▼a부산▼b한국정보통신학회▼c2011.
■300 ▼app. 1537-1542
■653 ▼a포아송 방정식▼a비선형도핑분포▼a포텐셜분포 ▼a문턱전압이하
■7001 ▼a정학기
■773 ▼t한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea institute of information & communication engineering▼gVol15 No7▼d2011, 07
■SIS ▼aS097247▼b351102▼h2▼s2▼fA
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