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Non-stoichiometric AlOx Films Prepared by Chemical Vapor Deposition Using Dimethylaluminum Isopropoxide as Single Precursor and Their Non-volatile Memory Characteristics
Non-stoichiometric AlO<SUB>x</SUB> Films Prepared by Chemical Vapor Deposition Using Dimet...
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Non-stoichiometric AlOx Films Prepared by Chemical Vapor Deposition Using Dimethylaluminum Isopropoxide as Single Precursor and Their Non-volatile Memory Characteristics
자료유형  
 기사
ISSN  
02532964
청구기호  
540 화92b v.33-7
서명/저자  
Non-stoichiometric AlO<SUB>x</SUB> Films Prepared by Chemical Vapor Deposition Using Dimethylaluminum Isopropoxide as Single Precursor and Their Non-volatile Memory Characteristics / 이선숙 ; 이은석 ; 김석환 ; 이병국 ; 정석정 ; 황진하 ; 김창균 ; 정택모 ; 안기석 공 저
발행사항  
서울 : 대한화학회, 2012.
형태사항  
pp. 2207-2212
기타저자  
이선숙
기타저자  
이은석
기타저자  
김석환
기타저자  
이병국
기타저자  
정석정
기타저자  
황진하
기타저자  
김창균
기타저자  
정택모
기타저자  
안기석
기본자료저록  
Bulletin of the Korean chemical society : VOL33 NO7 2012, 07
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
joongbu:405596
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