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문턱전압이하 영역에서 이중게이트 MOSFET의 스켈링 이론과 단체널효과의 관계
문턱전압이하 영역에서 이중게이트 MOSFET의 스켈링 이론과 단체널효과의 관계
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 22344772
- 청구기호
- 621.382 해63한 v.16-7
- 서명/저자
- 문턱전압이하 영역에서 이중게이트 MOSFET의 스켈링 이론과 단체널효과의 관계 / 정학기 저
- 발행사항
- 부산 : 한국정보통신학회, 2012.
- 형태사항
- pp. 1463-1469
- 키워드
- DGMOSFET
- 키워드
- 스켈링 이론
- 키워드
- 문턱전압
- 키워드
- 드레인유기장벽감소
- 키워드
- 문턱전압이하 스윙
- 키워드
- 단채널 효과
- 기타저자
- 정학기
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- joongbu:396256
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